根据之前的消息，realmeGTneo3将于3月22日正式发布。经过几轮预热，这位官员终于透露了机器的正面形状。
根据realmeChina总裁徐起（AndyLau）发布的真实照片，realmeGTneo3将采用中央穿孔屏幕方案，边境控制非常出色。
值得注意的是，这台机器也是realme第一次采用中心钻孔，之前主要在左上角钻孔。
根据之前的消息，该机最大的亮点是配备了天际8100芯片+独立显示芯片的双核组合，以及全球首款150W光速二次充电技术。
其中，独立显示芯片可以共享性能芯片的GPU渲染工作，通过MEMC运动补偿技术计算游戏原始两帧之间的过量画面，并增加过量画面，从而提高游戏画面的整体帧速率。
通过独立显示芯片的运行，游戏画面可以稳定在高帧速率下，降低性能内核的功耗，一举两得。
150W闪充技术采用UDCA光速二次充电架构，采用并联多通道电荷泵增加充电电流，实现150W大功率闪充，转换损耗低、电阻低、温度低。
根据徐起最近发布的屏幕截图，realmGTneo3可以在150秒内成功突破红色区域，充电率从1%提高到25%以上，颠覆了日常充电体验。
