一如之前预告的那样，三星在今天正式宣布了3nm工艺量产，这意味着三星在新一代工艺上抢先了台积电量产，并且首次量产GAA晶体管工艺，技术上也是全面压制了台积电，后者要到2nm节点才会用上GAA工艺。
根据三星所说，在3nm芯片上，其放弃了之前的FinFET架构，采用了新的GAA晶体管架构，大幅改善了芯片的功耗表现。
与5nm相比，第一代3nm工艺能够降低45%的功耗，减少16%的面积，并同时提升23%的性能，第二代的3nm工艺可以降低50%的功耗，提升30%的性能，同时面积减少35%，效果更好。
对于三星抢先量产3nm GAA工艺，韩国媒体及专家自己表态积极，但台湾的分析师态度就不一样了，工研院产科国际所研究总监杨瑞临认为三星就是赶鸭子上架。
之所以这么评价，杨瑞临认为GAA晶体管生态目前完全没有成熟，相关的蚀刻及测量问题还没有解决，材料、化学品也要提升。
此外，他不看好三星3nm GAA工艺的原因还跟成本有关，认为三星现在这样做会增加成本，交付期延长，良率提升慢，品控也不见得好，进而导致三星难以对客户报价，目前3nm GAA工艺只有三星自己在用，不会有外部的客户使用。
