近日，清华大学宣布，集成电路学院任天令教授的团队在小型晶体管的研究上取得了重大突破，首次实现了栅长小于1nm的晶体管。晶体管的栅极长度相当于0.34纳米。
据清华大学介绍，目前主流工业晶体管的栅极尺寸超过12NM。日本在2012年实现了相当于3nm的平面无结硅基晶体管。2016年，美国实现了物理栅极长度为1nm的平面硫化钼晶体管，而清华大学目前实现的等效物理栅极长度为0.34nm。
为了进一步突破1nm以下栅长晶体管的瓶颈，研究团队巧妙地利用石墨烯薄膜的超薄单原子层厚度和优异的导电性作为栅，通过石墨烯横向电场控制垂直MoS2沟道的开关，从而实现0.34nm的等效物理栅极长度。
目前，全球半导体行业大规模生产的芯片技术仍然是7Nm和5nm工艺。实验室中有2nm甚至1nm的过程。清华大学开发的0.34nm晶体管有什么意义？
IEEE官方网站上也介绍了这一突破。该研究的资深作者、北京清华大学电气工程师任天令在接受采访时表示，“我们已经实现了世界上最小的栅长晶体管”。
任天令指出：“在未来，几乎不可能使栅极长度小于0.34纳米。”。“这可能是摩尔定律的最后一个节点。”
