三星的晶圆代工部门最近表现不佳。据报道，一些员工涉嫌伪造和谎报5nm、4nm和3nm工艺的产量，因此高通等VIP客户不得不离开并重新使用台积电生产小龙8处理器。
然而，从技术上讲，三星仍然是唯一能赶上台积电的晶圆厂。虽然三星在7Nm、5nm和4nm节点上落后，但在下一个3nm节点上更激进。它希望推出全球砷化镓晶体管工艺，放弃FinFET晶体管技术，而台积电的3nm工艺仍将基于FinFET工艺。
三星此前表示，砷化镓是一种新型的环绕栅晶体管。Mbcfet（多桥沟道fet）是利用纳米芯片设备制造的。该技术可以显著提高晶体管性能，主要取代FinFET晶体管技术。
据三星称，与7Nm制造工艺相比，3nmGAA工艺的逻辑面积效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了约35%。在纸张参数方面，它优于台积电的3nmFinFET工艺。
当然，这些都还在纸上。三星的3nm工艺有很多挑战。大规模生产本身就是一个问题。三星在2021公布了大规模生产。事实上，事实并非如此。今年也是最快的一年。此外，3gae低功耗工艺是第一个，高性能3gap工艺将至少在2023年。
据韩国媒体报道，三星已准备在韩国平泽市P3工厂开工建设3nm晶圆厂。施工将于6月和7月开始，设备将及时进口。
根据这一进展，今年的3gae工艺应该只是小规模试生产，而大规模量产将在明年进行，类似于台积电的3nm工艺。由于各种问题，两家公司都推迟了3nm工艺的批量生产。
