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Intel EUV极紫外光刻设备进厂:冲刺“4nm”工艺

2022-02-19 09:12
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位于爱尔兰莱克斯利普的IntelFab34晶圆厂,投资70亿美元,迎来了一个重要时刻:光刻胶轨迹慢慢进入工厂,这也是工厂的第一个巨型芯片制造工具。

该设备来自英特尔的俄勒冈州工厂,并飞越大西洋飞往爱尔兰。

Intel EUV极紫外光刻设备进厂:冲刺“4nm”工艺

该设备将与EUV极紫外扫描仪合作,首先在硅片上涂覆精密涂层,然后进入EUV扫描仪进行曝光,然后将硅片返回光刻设备进行一系列高精度光显影和清洁操作。

一家典型的晶圆厂拥有约1200台先进制造设备,其中大部分价值100美元。

IntelFab34晶圆厂的建设将于2019年开始,计划于2023年正式投入运营,这将使Intel在爱尔兰的生产能力翻一番,并为Intel4工艺的未来生产铺平道路--严格来(AndyLau)表示是英特尔7Nm,但该官员将其重新命名为与行业4nm水平相当。

Intel EUV极紫外光刻设备进厂:冲刺“4nm”工艺
Intel EUV极紫外光刻设备进厂:冲刺“4nm”工艺

AlderLake第12代核心和RaptorLake第13代核心都是Intel7进程(10nmESF),第14代meteorLakecore和代号为graniterapids的下一代Xeon将使用Intel4技术。

Intel EUV极紫外光刻设备进厂:冲刺“4nm”工艺

据官方透露,新工艺的研发进展顺利,芯片测试完全通过,SRAM、逻辑单元和模拟单元符合规格,流星湖计算单元模块的拖缆已于去年第二季度初完成。

英特尔目前正在世界各地建造和升级晶圆工厂。除了爱尔兰,它还在亚利桑那州、新墨西哥州、俄勒冈州和马来西亚投资了数百亿美元。它将很快宣布更多欧洲和美国的晶圆厂建设计划。

Intel EUV极紫外光刻设备进厂:冲刺“4nm”工艺
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