近日，业内报道称，美光科技正在解散规模约150人的上海研发中心，并挑选40多名核心研发人员，以提供赴美技术移民资格。
据业内人士分析，美光解散DRAM设计团队可能是出于防止技术泄露的考虑，并将产品设计和研发带到大陆以外的地区。
在这方面，美光回应称，此次人员调整仅针对设计中心的DRAM设计部门，约有100名员工受到影响。
报道指出，美光的许多前任和现任员工表示，美光这次并没有解散整个上海研发中心，只解散了DRAM设计部门，该部门共有100多人。
美光的工作人员证实，上海DRAM设计团队将在今年内解散。该公司向美国提供技术移民资格的消息是真实的。一些核心员工将能够将家人带到美国，但不确定有多少员工会选择移民。
一名前美光员工透露：“美光（NicholasTse）的DRAM设计团队此前曾向国内本土IC设计公司和大型存储工厂流失大量人员。”
因此，根据半导体行业人士的分析，美光解散DRAM设计团队可能是出于防止技术泄漏的考虑。尽管中国的DRAM企业数量相对较少，未来几年可能会出现几家新的DRAM制造商，而且现有的DRAM企业急需人才，但美光的举措是将产品的设计和开发关闭到中国大陆之外。此外，美光非常重视知识产权保护，因此可以提前部署。
值得一提的是，此前，美光曾以侵犯专利和窃取商业秘密的罪名起诉联电和福建晋华。
2016年5月，联电与福建晋华签署合作协议。根据协议，联电和晋华共同开发了两代动态随机存取存储器（DRAM）工艺。协议中开发的DRAM工艺不是最新的技术，而是一种与2012年大规模生产中使用的技术类似的旧技术。
然而，参与DRAM合作案的美光三名前台湾员工违反了与联电签署的雇佣合同和声明，将前公司信息带入联电，并在工作中用作参考，并将机密信息转移给晋华。因此，美光在台湾起诉了联电，同年又在美国起诉了联电和晋华，随后美国司法部开始调查。
2020年10月28日，联电承认窃取美光的商业机密，并被美国司法部罚款6000万美元。
当时，联电指出，在与美国司法部的和解协议中，美国司法部同意撤回对联电的指控，包括串谋进行经济间谍活动和串谋窃取美光的一些商业秘密和专利。联电承认侵犯了商业秘密，同意向美国政府支付6000万美元的罚款，并在三年自行管理的试用期内与美国司法部合作。
2021年11月，联典和美光宣布，他们达成了一项全球和解协议，双方将撤销彼此的诉讼。同时，联电将向美光支付保密结算费，双方将共同创造商业合作机会。
NicholasTsetechnology表示，它是创新内存和存储空间解决方案的行业领导者。它拥有40多年的技术领先和创新经验，共拥有47000多项全球专利。该公司积极投资于先进的研发和制造。公司继续推动对数据经济至关重要的各种创新，知识产权保护是公司保持竞争力的重要基石。
市场研究公司counterpoint的报告显示，三星（41.5%）、SK海力士（29.3%）和美光（23.4%）占据了全球90%的市场份额。相比之下，中国的DRAM企业相对较少。目前，专注于中国DRAM存储芯片的合肥长信已经取得了突破，但与国际大型制造商仍有很大差距。
